本文通过对电容等效模型中的参数进行分析和仿真，旨在说明模型中不同参数对阻抗的影响，而且也给出了不同电容封装类型对阻抗影响的仿真分析，另外本文也列举了不同容值电容的并联对阻抗的影响。给后续进行PDN设计中电容优化给出一点参考。
1. 典型电容的等效电路模型
其中：
- R为电容内部寄生电阻称为ESR（Equivalent Series Resistance）；
- L为电容内部寄生电感称为ESL（Equivalent Series Inductance）；
- C为电容容值；
2. 实例仿真分析电容等效模型中ESR、ESL和C分别对阻抗曲线的影响
我们以村田电容GRM022R60J104KE15（01005）为例，查的此电容ESR大约为34mohm，ESL大约为166pH，容值为100nF。对应的自谐振频率约为39MHZ。
2.1 在ansys circuit中搭建对应的等效电路，并仿真得到对应的阻抗曲线。分别如下图所示；
2.2 调整寄生电阻R1值从34mohm改为60mohm，其它参数不变，重新仿真得到对应阻抗曲线，并和原始阻抗曲线进行对比，如下图；
从上图可以看到，调整ESR的值，影响阻抗曲线中的最小值附近的数值，而其它阻抗曲线部分不受影响。
2.3 调整电容C1值从100nF改为200nF，其它参数不变，重新仿真得到对应阻抗曲线，并和原始阻抗曲线进行对比，如下图；
从上图可以看到，调整电容的值，影响谐振点左边的阻抗数值，而其它阻抗曲线部分不受影响，其最小阻抗值也不变。
2.4 调整寄生电感L1值从166pH改为250pH，其它参数不变，重新仿真得到对应阻抗曲线，并和原始阻抗曲线进行对比，如下图；
从上图可以看到，调整电感的值，影响谐振点右边的阻抗数值，而其它阻抗曲线部分不受影响，其最小阻抗值也不变。
3. 相同电容并联对阻抗曲线影响
可以看到多个相同电容并联，阻抗曲线整体下移；而且电容并联数量越多，阻抗曲线下移越多。这也是为什么在PDN设计中会经常看到有很多相同的电容进行并联，目的就是为了降低阻抗。
4. 相同容值不同封装的电容其阻抗曲线的区别
从仿真结果可以看出：
容值相同的电容，封装越大，谐振点频率越低；
容值相同的电容，封装越大，谐振点ESR越低；
容值相同的电容，封装越大，在谐振点之后相同频率下的阻抗值越高。（寄生电感越大）
5. 不同容值电容并联对阻抗曲线的影响
从仿真图片可以看到，在a与b、b与c两电容谐振点之间都会有一个凸起的部分，这是因为在这区间类似一个电感和一个电容并联，构成了LC并联谐振电路，会在某个频率点发生并联谐振，阻抗达到区间内最大值，我们称之并联谐振。此并联谐振点，我们又称为反谐振点。如果负载芯片的电流需求正好落在这个频率，那么会导致电压波动超标。所以，我们需要选好电容的搭配情况，必要时进行仿真确定选型。
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