浅谈芯片制造中为什么需要外延层（Epitaxial Layer）？

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1. 外延层定义：

是指在单晶衬底（基片）上沉积一层具有特定晶体取向和化学成分的薄膜；犹如原来的晶体向外延伸了一段。新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料（同质外延或者是异质外延）。由于新生单晶层按衬底晶相延伸生长，从而被称之为外延层（厚度通常为几微米），而长了外延层的衬底称为外延片，器件制作在外延层上为正外延，若器件制作在衬底上则称为反外延，此时外延层只起支撑作用。

外延层：衬底上新生长的单晶层；

外延片：生长了外延层的衬底，即：外延片=外延层+衬底；

2. 使用外延层的好处

2.1 提高PN结的击穿电压

击穿电压（Breakdown Voltage）是一个关键指标，决定了器件在高压条件下的稳定性。

相关近似公式：

从公式可以明显看出，击穿电压V_B反比于外延层掺杂浓度N_d，当外延层掺杂浓度降低时，击穿电压增大。通过控制外延层的掺杂浓度，可以精确设计器件的击穿电压。

2.2 掺杂控制与阈值电压调节

阈值电压（Threshold Voltage, V_TH）是MOSFET中控制开关行为的关键参数。通过外延层中的精确掺杂，可以优化V_TH.

相关近似公式：

从公式可以明显看出，V_TH正比于外延层掺杂浓度N_A。

如果外延层的掺杂浓度较高，则V_TH​ 增加，使得器件更难导通；通过降低外延层的掺杂浓度，可以降低阈值电压，使器件更容易导通。

2.3 减小寄生电容和寄生电阻

寄生效应会降低器件的开关速度和频率响应。外延层通过提供高阻区，可以减少寄生电容；而通过增加衬底掺杂浓度来降低电阻率，从而减小寄生电阻。

以上只是介绍了外延层几个优点，然而外延层还有很多优点比如：优化电子迁移率、好的热导率和散热性能等等。

3. 外延层常见的工艺参数

4. 问题与讨论

问题1. 衬底和外延层使用的是单晶硅还是多晶硅呢？

Ans：衬底和外延层通常使用的是单晶硅，而不是多晶硅；因为单晶硅具有均匀的晶体结构，单晶硅的原子排列非常有序，几乎没有晶界缺陷。另外单晶硅也具有较高的载流子迁移率和较低的电阻率。而多晶硅经常用于制造MOSFET的栅极或互连层，因为它可以通过掺杂调整电阻率，并且具有良好的热稳定性。

问题2. 为什么外延层低掺杂p-，不会和下面的衬底高掺杂p+发生浓度扩散呢？

Ans：掺杂浓度差确实会导致一些扩散现象，但通过合理的设计和工艺控制，这种扩散可以被有效抑制，保证外延层的特性。以下是列举的其中几个相关措施：

• 外延生长的低温工艺；
• 外延层生长时间的控制；
• 掺杂浓度梯度设计；
• 衬底和外延层之间的界面质量的控制；

问题3. 为什么外延层可以降低闩锁效应？

Ans：请参考本站文章：一文搞懂闩锁效应的第3.1.4小节。

问题4. 如何确定自己使用的工艺是否有用外延层？

Ans：一般情况下在design rule 前几页，有Technology Overview一节中会有介绍。